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英特尔14nm比代工场强太多 但龙头上风难保-金沙乐娱场69626-js金沙娱乐6038

笔墨:[大][中][小] 2016-3-3    阅读次数:1790    

      已往几年工夫里,英特尔固然正在桌面范畴仍过着“无敌是何等空虚”的日子,然则盘绕其芯片制造手艺的话题议论愈来愈多了,特别是取许多最先被人熟知的芯片制造厂商比拟,好比台湾的芯片制造商台积电。许多话题议论的最先,均是基于每一次非英特尔芯片制造商对制造工艺的晋级。

      最后,台积电和三星明白示意,将以最快的速度从“20 纳米”过渡的“14/16纳米”,并且将会重点生长称之为“FinFET”的晶体管构造器件,重点宣扬新工艺比拟传统而言芯片面积将获得大幅缩减,适配每一代工艺造程。

      另一方面,事先英特尔也正处于 22 纳米工艺技术到 14 纳米的过渡中,而且英特尔也把握了第二代FinFET(Tri-Gate)器件手艺。不外,英特尔的行动太缓了,致使三星和台积电各自寻衅称,其 16 和 14纳米曾经抢先英特尔,而英特尔仍没法完整离开 22纳米的工艺造程,而且另有究竟证实,台积电的20纳米工艺的晶体管密度比英特尔的 22纳米更高。

      英特尔从22纳米过渡到14纳米的工夫着实过于冗长,这点不假,并且英特尔也认识到了,正在工艺造程手艺同步生长的历程中,晶体管密度的合作相称主要。事实上,面临民间以致业界广为议论的误导性话题,英特尔并没有锐意的做任何回应,但当英特尔正式宣布自家 14 纳米技术时,才真正肯定了见异思迁的抢先职位。

      下图为英特尔官方供应的逻辑面积比例图:

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     从这个英特尔的图来看,英特尔认可自家的 32 纳米不如 28 纳米工艺,重要是指栅极取栅极之间的间距前者不如后者。再到 22纳米取 20纳米工艺的对照,效果亦是云云。不外,确切只要正在 14 纳米和 16 纳米工艺节点,才凌驾了其他竞争对手,建立起抢先的职位。

      以是,三星和台积电所说的都是究竟,这两大愈来愈精彩的芯片代工场正在 20 纳米造程时期确是抢先于英特尔 22 纳米。但弗成否定英特尔新一代 14 纳米更加精彩,最少晶体管密度的上风上凌驾了其他敌手的 14/16 纳米工艺节点。-98707.com金沙娱乐城

工艺是一回事,那晶体管的现实机能呢?

      多年以来,英特尔从未抛却过任何揄扬本身的芯片手艺,只是正在台积电和三星上位以后收敛了许多。并且,不足为奇的是英特尔居然没有过分宣扬自家的第二代FinFET 工艺,究竟结果其他竞争对手正在其 14 纳米问世时,均处于第一代 FinFET 工艺程度。简朴的道,英特尔 14纳米正式问世之初,从晶体管机能的角度来看,整整抢先了竞争对手一代。

      正在许多对芯片深度评测的机构讲演中,尤其是威望站点 ChipWorks,我们能够看到英特尔 14纳米晶体管一切性能指标均抢先于其他竞争对手。更主要的是,ChipWorks 经由过程先辈的透射电子显微镜视察剖析发明,英特尔 14纳米芯片的晶体管鳍片间距做得最为严密,可谓这个星球上迄今最先辈的半导体工艺,周全抢先代工场的 14/16 纳米。

      英特尔22纳米和14纳米晶体管鳍片细节对照:

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     以是,质疑英特尔正在晶体管机能上风合作中落后的人皆该闭嘴了。为何,将上面三星的 14纳米FinFET工艺晶体管细节取上面英特尔的对照便能晓畅。正在 22 纳米时期,英特尔的晶体管鳍片确实不敷精彩,但 14纳米鳍片看起来已近乎“垂直”,使得了鳍片更高、更薄,更易于进步晶体管的驱动电流和机能。

      而三星的 14 纳米 FinFET 工艺晶体管细节,请注重看,很明显更像是 2011 年英特尔 22 纳米工艺时期的程度,声称逾越不免有点大嘴了,究竟结果无论如何照样基于第一代 FinFET 工艺打造。

三星 14 纳米 FinFET 晶体管细节图:-金沙乐娱场69626

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      固然了,机能日新月异不太实际,并且英特尔思索到了挪动范畴和其他运用的合作,究竟结果正在这些范畴不需要异常下的 CPU 频次。但说到频次,英特尔的 14nm 驾御大于 4GHz 不会存在任何手艺停滞,而代工场的 14/ 16 纳米当前仍旧相称难题。

代工场一向正在前进

      弗成否定,正在芯片制造业,各大代工场尤其是三星和台积电的前进异常之大,而且正在加速程序缩减取英特尔的手艺差异,只管英特尔临时处于抢先,但当前非常需求将差异拉开更大。

      我们不清楚英特尔是不是是缺少合作压力,但正在挪动范畴,三星 14 纳米 FinFET、台积电 16 纳米 FinFET两大工艺的合作可谓空前惨烈,从合资代工苹果A9,到争抢各路定单,杀得好不热烈。更主要的是,两大代工场曾经做好了布置全新工艺造程的预备,不止是第二版,借包孕第三版。

      比方道,台积电第一代是尺度的 16 纳米 FinFET 工艺,以后推出的第二代 FinFET Plus(FF+) 加强版曾经布置。至于下一代 FinFET Compact(FFC)也曾经完成了设想研发,并肯定本季度便能够投入量产,提早了大半年。

      三星方面,其第一代 14 纳米是 Low Power Eatly(LPE),如今第二代 Low Power Plus(LPP)曾经最先量产,重点产物为 Snapdragon 820 和 Exynos 8890。三星下管宣称,衍生于第二代的下一版 14纳米也将很快推出。

      更久远的企图上,无论是三星和台积电都曾经最先朝着 10纳米的目的迈进。台积电示意,10 纳米往年便可试产,正式批量消费比及 2016 年年底,大概是 2017年的第一季度。至于三星也供应了也许雷同的线路图,坚称 2016 年年底 10 纳米便可量产,2017 年一定会泛起正在手机和平板电脑上。-19222.com

      反观英特尔,不只桌面处理器“Tick-Tock”战略正在两年前曾经被突破,并且第一款基于 10 纳米工艺的产物按计划要等至 2017年下半年才气推出。除非英特尔革新研发形式,不然往年岁尾将损失工艺抢先的职位。作为半导体芯片范畴的巨子,英特尔临时自大满满,但正在当前合作情况中,借实的得加把劲了。



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